Etude et modelisation du comportement electrique des diodes de puissance en haute temperature

par SALAH GAMAL

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de Jean-Pierre Chante.

Soutenue en 1992

à Villeurbanne, INSA .

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  • Résumé

    Ce memoire est consacre a l'etude des diodes de puissance a haute temperature afin de degager les limitations reelles de l'augmentation de la temperature maximale de jonction dans ces dispositifs. Des analyses theoriques et experimentales et des interpretations du comportement des diodes en silicium a haute temperature sont effectuees. Une methode originale pour determiner la duree de vie des porteurs libres dans la zone centrale des diodes de type pin est proposee. Finalement, une comparaison entre deux diodes assez semblables en silicium et en carbure de silicium, ainsi qu'une estimation des potentialites theoriques des diodes en sic sont presentees


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Informations

  • Annexes : 109 REF

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  • Bibliothèque : Institut national des sciences appliquées (Villeurbanne, Rhône). Service Commun de la Documentation Doc'INSA.
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