Etude et modélisation du comportement électrique des diodes de puissance en haute température

par Salah Gamal

Thèse de doctorat en Composantes électronique

Sous la direction de Jean-Pierre Chante.


  • Résumé

    Ce mémoire est consacré à l'étude des diodes de puissance à haute température afin de dégager les limitations réelles de l'augmentation de la température maximale de jonction dans ces dispositifs. Des analyses théoriques et expérimentales et des interprétations du comportement des diodes en silicium à haute température sont effectuées. Une méthode originale pour déterminer la durée de vie des porteurs libres dans la zone centrale des diodes de type PIN est proposée. Finalement, une comparaison entre deux diodes assez semblables en silicium et en carbure de silicium, ainsi qu'une estimation des potentialités théoriques des diodes en SiC sont présentées.

  • Titre traduit

    = Study and modelling of the electrical behaviour of power diodes at high temperature


  • Résumé

    In order to evaluate the real limitations to increase the maximum junction temperature of power diodes, the electrical behaviour of silicon power diodes at high temperature has been studied and analysed theoretically and experimentally. A new method for measuring the high level carrier lifetime in the base of PIN power diodes has been introduced. Finally, a comparison between similar diodes fabricated in silicon and silicon carbide, as well as a theoretical estimation of the potentialities of silicon carbide are introduced.

Consulter en bibliothèque

La version de soutenance existe sous forme papier

Informations

  • Détails : 1 vol. (170 p.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr.

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Institut national des sciences appliquées (Villeurbanne, Rhône). Service Commun de la Documentation Doc'INSA.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : C.83(1410)
Voir dans le Sudoc, catalogue collectif des bibliothèques de l'enseignement supérieur et de la recherche.