Observation par microscopie électronique en transmission et par topographie aux rayons x des dislocations d'interface mobiles dans un bicristal sigma=9 de silicium

par Hadj-Aïssa Benhroma

Thèse de doctorat en Science et génie des matériaux

Sous la direction de Amand George.

Soutenue en 1992

à Vandoeuvre-les-Nancy, INPL .


  • Résumé

    Le but de la thèse est l'étude de la mobilité de dislocations d'interface mobile dans un joint sigma=9 (rotation de 38,94, axe 011, plan 122) de silicium. Le vecteur de Burgers de ces dislocations appartient au réseau d. S. C. Du joint sigma=9. Le déplacement de dislocations bg=1/18 411 glissiles dans le plan de joint a été observé par met in situ et par topographie aux rayons x: il est très anisotrope. Les segments alignés suivant l'axe commun sont rigides et lents, alors que des segments vis sont souples et rapides. La mobilité de ceux-ci a été mesurée entre t=550c et t=750c, pour des contraintes de 10 a 30 mpa. Le glissement est un phénomène thermiquement activé, d'énergie d'activation q=1,3+0,15 ev. La vitesse varie comme la puissance de la contrainte avec m=2,55. L'anisotropie de la mobilité et l'ordre de grandeur de la vitesse des segments vis s'expliquent dans le cadre d'un modèle simple, si l'on tient compte de la structure de cœur des dislocations et de la périodicité du potentiel de Peierls. En revanche l'explication de l'exposant M est plus difficile. Le déplacement par montée dans le joint de dislocations 1/9 122 sessiles a été observé par met. Il est lui aussi anisotrope, et très sensible a l'irradiation. Plusieurs cas de franchissements du joint de grains par la déformation ont été observés dont l'un, étudié en détail, montre un couplage entre réaction au joint et mobilité des dislocations glissiles

  • Titre traduit

    Observation by transmission electron microscopy and by x-rays topography of mobile interface dislocations in sigma=9 silicon bicristal


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Informations

  • Détails : 1 vol. (175 f.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. p. 163-169. Résumé en français

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