Contribution à l'étude de la diffusion des impuretés dopantes dans le silicium : diffusion des impuretés dopantes dans des structures silicium sur isolant obtenues par implantation d'oxygène

par Pascal Normand

Thèse de doctorat en Systèmes électroniques

Sous la direction de Nadine Guillemot.

Soutenue en 1992

à Grenoble, INPG .

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  • Résumé

    Dans une premiere partie, cette etude traite des elements fondamentaux utiles a l'analyse de la migration des impuretes dans le silicium. Une formulation generale des equations de transport dans le cas du mecanisme lacunaire de migration des impuretes dopantes est notamment proposee sur la base de la theorie phenomenologique de la diffusion fondee sur la thermodynamique des processus irreversibles. Ces equations sont discutees a travers les coefficients de transport phenomenologiques explicites en termes de caracteristiques elementaires (concentrations de defauts, interactions lacune-impurete,. . . ). Les proprietes (niveau(x), electrique(s), energie(s) de liaison lacune-impurete,. . . ) des defauts ponctuels sont exhaustivement rapportes. Les divers modeles statistiques et approches phenomenologiques proposes dans la litterature pour un tel mecanisme sont revus et critiques. La seconde partie de travail traite sur le plan macroscopique de la redistribution, apres implantation, des impuretes dopantes, l'arsenic et le bore, dans des structures silicium-sur-isolant obtenues par implantation d'oxygene (simox). Se situant dans une periode d'evolution des processus de fabrication de ces structures, cette etude met en evidence le role preponderant tenu par la qualite des films de silicium sur la redistribution des impuretes. Une telle etude, egalement entreprise dans le silicium massif, est menee sur la base d'un parallele d'analyses experimentales physico-chimiques, cristallographiques et electriques, ceci en correlation avec divers traitements phenomenologiques des resultats experimentaux

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  • Détails : 1 vol. (274 p.)

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  • Cote : TS 92/INPG/0164
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