Propriétés électriques et modèles physiques des composants MOS à basse température pour la cryomicroélectronique

par Ayoub Emrani

Thèse de doctorat en Optique, optoélectronique, micro-ondes

Sous la direction de Francis Balestra.

Soutenue en 1992

à Grenoble INPG .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Ce travail est relatif a l'etude du fonctionnement des composants mos a basse temperature en vue de l'application en cryomicroelectronique. Une caracterisation exhaustive des transistors mos fonctionnant entre 300 k et 4. 2 k est presentee. Nous proposons des lois de mobilite, des techniques d'extraction, des proprietes electriques ainsi que des modeles physiques des transistors de type n et p de la temperature ambiante a la temperature de l'helium liquide. Les effets lies a la quantification de l'energie, a la contribution de plusieurs sous-bandes au transport, et aux resistances series source-drain sont egalement soulignes. L'accent est aussi porte sur le concept de champ electrique effectif et sur les processus de collision qui gouvernent la mobilite des porteurs a l'interface silicium-dioxyde a basse temperature. L'evaluation de quelques filieres technologiques qui semblent prometteuses afin d'ameliorer les performances electriques des circuits integres cmos est enfin mise en evidence en fonction de la temperature

  • Titre traduit

    Electrical properties and physical models of the mos devices at low temperature fot he cryomicroelectronics


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  • Détails : 1 vol. (208 p.)

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  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
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  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TS 92/INPG/0158
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