Energie photovoltaique solaire multispectrale : epitaxie de cellule gaas de haute performance et de diode tunnel gaas

par MAURO F. VILELA

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de Pierre Gibart.

Soutenue en 1992

à l'INP GRENOBLE .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Ce travail s'insere dans le cadre general de la conversion photovoltaique multispectrale de l'energie solaire a tres haut rendement. Le projet implique quatre cellules elaborees a partir de materiaux semiconducteurs iii-v de differentes largeurs de bande interdite (gap) gaas; (al,ga)as; (ga,in)as; (ga,in)(p,as), chaque cellule pouvant etre ainsi adaptee a des bandes spectrales differentes du rayonnement solaire. Un rendement de l'ordre de 40% peut ainsi etre obtenu grace a la mise en serie optique de ces quatre cellules. La presente etude porte plus particulierement sur la cellule gaas, cur du projet quadrispectral du lpses. Une cellule avec un rendement am1 de 26% est obtenue par epitaxie en phase vapeur par pyrolyse d'organometalliques (epvom), une modification de la structure traditionnelle est aussi proposee. Des resultats de cellules gaas sur substrats de substitution (ge et si) sont donnes et une etude de la diode tunnel gaas a ete entreprise en vue d'augmenter la stabilite thermique du composant, l'application etant l'obtention d'un tandem monolithique gaas/(al,ga)as. Enfin, l'etude detaillee du comportement (diffusion, effet memoire) de trois dopants utilises en epvom (te, sn et zn) a ete effectuee


  • Pas de résumé disponible.

Consulter en bibliothèque

La version de soutenance existe sous forme papier

Informations

  • Annexes : 97 REF

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
  • Accessible pour le PEB
Voir dans le Sudoc, catalogue collectif des bibliothèques de l'enseignement supérieur et de la recherche.