Realisation par la methode aux hydrures et etude de puits quantiques contraints ga#xin#1##xas/inp

Study of ga#xin#1#-#xas/inp strained quantum wells grown by hydride vapor phase epitaxy

• Auteur / Autrice : Evelyne Gil
• Direction : Robert Cadoret
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique
• Date : Soutenance en 1992
• Etablissement(s) : Clermont-Ferrand 2

Résumé

Des puits quantiques inas/inp ont ete elabores pour la premiere fois par epitaxie en phase vapeur par la methode aux hydrures. L'originalite de la demarche reside dans l'utilisation d'une technique de flux pulses d'hydrures (ph#3 et ash#3) sur un flux continu de chlorures incl/hcl. Le cycle de croissance des couches inas comporte deux etapes: une phase de depot suivie par une phase d'attaque. Des puits quantiques contraints inas d'epaisseur egale a 21 et 31 monocouches atomiques ont ete realises. L'etude par spectroscopie de photoluminescence montre qu'il y a un bon confinement des porteurs dans les puits inas. Une translation de l'energie de transition excitonique a ete observee apres recuits de puits quantiques. L'interdiffusion des elements v modifie le profil de composition des puits et la formation d'une couche in (as, p) est attendue. Cette meme translation du pic excitonique a ete observee pour des structures multicouches inas/inp. Elle est attribuee a l'instabilite thermique des premiers puits elabores dans la superstructure. L'etude d'heterostructures ga#xin#1#-#xas/inp avec 0. 3<x<0. 5 au voisinage de l'epaisseur critique, montre que le processus ga#xin#1#-#xas/inp (x=0. 47 et x=0. 36) ont ete elabores en procedant a des phases transitoires d'attaque sous chlorures. Un modele cinetique des depots contraints gainas est propose, en tenant compte d'un terme d'energie de deformation dans le potentiel chimique de formation de l'alliage