Contribution à la modélisation des transistors haute fréquence

par Thomas Zimmer

Thèse de doctorat en Électronique

Sous la direction de Jean-Paul Dom.

Soutenue en 1992

à Bordeaux 1 .

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  • Résumé

    Une etude sur la modelisation des transistors haute frequence est presentee. Le comportement electrique du transistor a effet de champ sur arseniure de gallium (gaas-fet) est simule par le modele de statz, celui du transistor bipolaire par le modele gummel-poon. Des nouvelles procedures sur l'extraction des parametres critiques sont proposees ainsi que des strategies d'optimisation des parametres. Enfin, un modele physique et analytique, decrivant l'effet de coude dans les gaas-fet a ete developpe

  • Titre traduit

    Contribution to the high frequency transistor modeling


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  • Cote : FT 92.B-790
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