Influence des défauts de surface sur le rendement de conversion des cellules photogalvaniques et photovoltaïques utilisant des monocristaux ou des couches minces de WSe2

par Rabah Bourezg

Thèse de doctorat en Sciences

Sous la direction de Gérard Couturier.

Soutenue en 1992

à Bordeaux 1 .

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  • Résumé

    Ce memoire est une contribution a l'etude des proprietes electroniques d'un semiconducteur lamellaire (wse#2) et des proprietes de l'interface wse#2/electrolyte aqueux (i#/i#2). Ce travail s'appuie sur differentes techniques electriques (effet hall, i(v), c(v), g(v), g(),. . . ) et optiques (absorption, photoconduction,. . . ). Il aboutit a une description claire des effets observes en prenant en compte l'influence preponderante des defauts de surface (marches) toujours presents a la surface des monocristaux, mais dont la concentration peut etre modifiee de maniere controlee. C'est ainsi que sont expliquees: la relation entre courant inverse d'obscurite et densite de defauts de surface, en particulier l'effet de quasi court-circuit par les extremites des plans // a l'axe c; la limitation du courant direct a l'interface wse#2/electrolyte aqueux (i#/i#2) par la vitesse de renouvellement a la cathode de l'espece i#2; la decroissance du photocourant aux faibles longueurs d'onde due au fait que la longueur de penetration des photons devient du meme ordre de grandeur que la hauteur des marches; la limitation du rendement des cellules photogalvaniques par les defauts de surface

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  • Cote : FT 92.A-982
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