Etude par spectrométrie Raman des contraintes, dopage et défauts associés dans GaAs hétéroépitaxie

• Auteur / Autrice : Adnane Mlayah
• Direction : Robert Carles
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique
• Date : Soutenance en 1991
• Etablissement(s) : Toulouse 3

Mots clés

Mots clés contrôlés

Hétérostructures

Épitaxie

Couches minces semiconductrices

Thermoélasticité

Spectroscopie Raman

Résumé

Dans ce memoire, sont abordes, tant du point de vue experimental que theorique, trois effets: contraintes, dopage et defauts associes dans gaas. Le type, la valeur et l'origine des contraintes sont deduits des decalages des phonons optiques. L'etude menee sur le fort dopage de type p dans gaas est consacree a la comprehension des mecanismes de couplage phonon-plasmon. De cette etude sont deduites differentes methodes de determination du taux de dopage. La presence de dislocations dans une heterostructure ou encore d'impuretes dans un materiau dope est responsable d'un desordre structural et chimique que nous avons caracterise de facon aussi bien qualitative que quantitative