Caracterisation des niveaux profonds dans le materiau photorefractif bi#1#2geo#2#0 (bgo) par analyse de transitoires de courant photo-induits et determination de la mobilite des porteurs par la mehtode du temps de vol

par ABDELALI EN NOURI

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de J. P. ZIELINGER.

Soutenue en 1991

à Strasbourg 1 .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Ce travail est une contribution a la caracterisation et a l'optimisation des proprietes du materiau photorefractif bi#1#2geo#2#0 (bgo). Un des objectifs poursuivis consiste a etendre la photosensibilite vers le proche infra-rouge par dopage avec des metaux de transition. Seul le cuivre est efficace. Une partie importante est consacree a la caracterisation des niveaux profonds par spectroscopie thermique, photoelectrique et optique (une description detaillee des techniques est donnee) et a une discussion globale des resultats s'appuyant egalement sur les publications d'autres auteurs. Un modele de niveaux est propose se distinguant nettement du modele original a deux niveaux. Une meme espece de defauts intrinseques x (antisite bi#g#e, lacune v#g#e), pouvant presenter trois etats de charge x#, x#0, x#+. X#0 domine largement meme dans le materiau dope. Seul le centre x#0 est optiquement actif et les trois bandes d'absorption entre 1. 3 et 3. 1 ev peuvent lui etre attribuees. L'insertion en site ge, ou eventuellement en site bi, d'un accepteur, entraine le blanchiment d'une proportion plus ou moins importante de centres x#0 (formation de x#+). Cependant, dans le cas ou l'accepteur est optiquement ionisable, la lumiere ambiante a pour effet de maintenir une fraction des centres dans l'etat neutre, ou meme dans certains cas (cristal dope au cuivre) de renforcer leur concentration. La deuxieme partie du travail concerne la realisation d'un montage pour la mesure de la mobilite des photoporteurs par la technique du temps de vol. Des valeurs comprises entre 0. 3 et 1 cm#2. V##1. S##1 ont ete obtenues avec des cristaux non dopes

  • Titre traduit

    Characterization of deep levels in the photorefractive material bi#1#2geo#2#0 (bgo) by analyzing photoinduced current transients and determination of the charge carrier mobility by the time-of-flight method


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Informations

  • Annexes : 64 REF

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  • Bibliothèque : Université de Strasbourg. Service commun de la documentation. Bibliothèque Danièle Huet-Weiller.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : Th.Strbg.Sc.1991;1095
  • Bibliothèque : Université de Strasbourg. Service commun de la documentation. Bibliothèque Danièle Huet-Weiller.
  • Non disponible pour le PEB
  • Cote : H 503.000,1991
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