Realisation de jonction pn dans un film mince de silicium polycristallin : analyse et modelisation de la caracteristique courant-tension entre 200 k et 400 k

par ABDELBAKI AZIZ

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Olivier Bonnaud.

Soutenue en 1991

à Rennes 1 .

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  • Résumé

    Ce memoire decrit une etude du comportement electrique de jonctions pn realisees dans un film mince de silicium polycristallin depose par un procede lpcvd sur oxyde de silicium. Ces composants sont caracterises par des mesures i(v) pour differentes temperatures et des mesures c(v) pour differentes frequences de mesure. A temperature ambiante et a faible niveau de dopage, les resultats experimentaux concernant les courbes i(v) et c(v) s'expliquent par la presence de joints de grain comportant des defauts electriquement actifs au voisinage de la jonction. A differentes temperatures et a fort dopage, on montre que le fort niveau du courant est incompatible avec un modele classique de generation-recombinaison des porteurs dans la zone de charge d'espace. Nous proposons un modele de conduction base sur un mecanisme d'emission-capture assistees par champ electrique des porteurs pieges dans les joints de grain situes dans la zone de charge d'espace de la jonction metallurgique. Apres une revue des expressions analytiques donnees dans la litterature decrivant ce phenomene, nous avons etabli un modele numerique de conduction electrique de ces diodes realisees dans des couches polycristallines en introduisant l'effet du champ electrique local sur le taux net de recombinaison des porteurs. Nous montrons que les caracteristiques theoriques i(v) sont en bon accord avec les courbes experimentales dans la gamme de temperature 200-400 k


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Informations

  • Détails : 1 vol. (150 p.)
  • Annexes : 75 REF

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  • Bibliothèque : Université de Rennes I. Service commun de la documentation. Section sciences et philosophie.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TA RENNES 1991/86
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