Etude de la croissance des materiaux semiconducteurs gaas/ga#xin#1##xp realises par la methode d'epitaxie par jets moleculaires a base d'organometalliques

par PHILIPPE BOVE

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de YVES GULDNER.

Soutenue en 1991

à Paris 11 .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Ce travail presente l'etude de la croissance epitaxiale des materiaux gaas et ga#0#,#5in#0#,#5p par ejmom. Les cinetiques de croissance des composants binaires inp et gap sont decrites a partir d'etudes utilisant la technique d'oscillation de rheed. Il est alors permis de comprendre le comportement de la croissance de l'alliage ternaire ga#xin#1##xp. L'optimisation des conditions de croissance des materiaux gaas et ga#0#,#5in#0#,#5p sont determinees a partir d'analyses cristallographiques, electriques et optiques. Des heterostructures de simple et multipuits quantiques sont alors realisees et caracterisees. Ce travail presente aussi une etude de dopage, type-n, des deux materiaux gaas et ga#0#,#5in#0#,#5p a partir d'une source gazeuse de sulfure d'hydrogene. Le mecanisme d'incorporation du soufre dans les deux materiaux y est detaille

  • Titre traduit

    Study of the gaas/ga#xin#1##xp growth realised by the metal organic molecular beam epitaxy method


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Informations

  • Annexes : 225 REF

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  • Bibliothèque : Université Paris-Sud (Orsay, Essonne). Service Commun de la Documentation. Section Sciences.
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  • Bibliothèque : Centre Technique du Livre de l'Enseignement supérieur (Marne-la-Vallée, Seine-et-Marne).
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TH2014-010547
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