Defauts de volume et de surface dans le silicium pour applications photovoltaiques : microanalyse, proprietes, passivation

par ISABELLE DELIDAIS

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Jacques Castaing.

Soutenue en 1991

à Paris 11 .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Ce travail porte sur les comportements physico-chimiques et electriques de l'oxygene, de l'hydrogene et des impuretes metalliques, dans du silicium de type p pour applications photovoltaiques. La premiere partie concerne le travail theorique effectue sur la modelisation de l'efficacite de collecte mesuree par ebic. Dans une seconde partie, les analyses sims et l'utilisation d'un traceur (#1#8o) nous ont permis d'acceder aux coefficients de diffusion de l'oxygene, a 1000 et 800c, dans du silicium fz, cz et polyx et de mettre en evidence la presence d'oxygene largement au-dela de sa limite de solubilite a 1000c. Cette sursaturation est due en partie a des precipites riches en oxygene, decores de deuterium apres traitement par plasma radiofrequence. La presence de ces precipites d'oxygene explique la faible efficacite de collecte de ces echantillons. Pour le polyx, plus les recuits (sous vide ou sous oxygene) sont realises a temperatures elevees, plus la longueur de diffusion des porteurs minoritaires est faible. Les analyses sims et xps indiquent que le cuivre vient se pieger sur les precipites d'oxygene. Cet effet gettering est plus efficace pendant l'oxydation. Par ailleurs, la couche d'oxyde constitue une barriere pour la diffusion du deuterium. L'analyse des resultats c(v) indique que l'hydrogene interagit avec le dopant et le passive. Dans ce cas, il n'est pas possible d'utiliser notre modele ebic. Nous avons pu egalement observer que le plasma d'hydrogene degrade les proprietes electroniques de la surface alors qu'il passive les defauts de volume electriquement actifs pour le polyx


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Informations

  • Annexes : 66 REF

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  • Bibliothèque : Université Paris-Sud (Orsay, Essonne). Service Commun de la Documentation. Section Sciences.
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  • Bibliothèque : Centre Technique du Livre de l'Enseignement supérieur (Marne-la-Vallée, Seine-et-Marne).
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TH2014-010486
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