Implantation, desordre et precipitation dans un semi-conducteur iii-v (inp). Formation de couches epitaxiees par implantation dans ti et tial : etude par microscopie electronique en transmission in situ

par PING ZHENG

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de MARIE-ODILE RUAULT.

Soutenue en 1991

à Paris 11 .

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  • Résumé

    Dans la premiere etude de l'implantation d'ions x(c, n, b et o) dans ti et ti-al, nous avons forme des couches de solutions solides par implantation dans ti, ti2al ou tial meme pour des composes qui ne sont pas stables thermo-dynamiquement (amorphes tialb). Dans le cas des composes thermo-dynamiquement stables, outre les relations d'epitaxie deja connues, plusieurs autres ont ete trouvees pour la premiere fois, certaines d'entre-elles favorisent l'amelioration de proprietes mecaniques de la matrice. Dans la deuxieme etude de l'implantation d'ions si dans si#+ de 50 kev et de recuits ulterieurs dans inp, nous avons mis en evidence pour la premiere fois, le mecanisme de l'amorphisation et le phenomene de precipitation. A basse temperature (15-300 k), la contribution la plus importante dans la formation des couches amorphes provient du desordre de la zone peripherique des cascades. A partir de 500 k, au lieu de l'amorphisation, nous avons mis en evidence la presence de precipitation directe de petits cristaux de psi (1% si) pendant l'implantation. Apres recristallisation des couches amorphes formees a 300 k (si300 ppm), un phenomene de precipitation epitaxial de psi et p2si a aussi observe. Pour des dopages de si faibles (150 ppm), la formation de boucles fautees au cours du recuit a ete interpretee comme due a la formation de micro-precipites psi/p2si. Quoi qu'il en soit, cette precipitation intervient a partir d'une temperature ou inp tend a se decomposer


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  • Annexes : 199 REF

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  • Bibliothèque : Université Paris-Sud (Orsay, Essonne). Service Commun de la Documentation. Section Sciences.
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  • Bibliothèque : Centre Technique du Livre de l'Enseignement supérieur (Marne-la-Vallée, Seine-et-Marne).
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TH2014-010337
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