Localisation et stabilité de l'hydrogène dans le système multicouche silicium/silicium hydrogène

par Saoud Houssaini

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Michel Vergnat.

Soutenue en 1991

à Nancy 1 , en partenariat avec Université Henri Poincaré Nancy 1. Faculté des sciences et techniques (autre partenaire) .


  • Résumé

    Ce travail est consacré à l'étude du comportement de l'hydrogène dans le silicium amorphe hydrogène préparé par évaporation, sous un flux d'hydrogène atomique, et sur un substrat maintenu à basse température. La structure des liaisons des atomes d'hydrogène est étudiée par spectroscopie infrarouge. L'approfondissement de l'étude a nécessité l'élaboration de multicouches de silicium avec une composition modulée en hydrogène. La diffraction des rayons X par ces systèmes met en évidence la diminution de la densité atomique du silicium dans les couches hydrogénées. La diffraction des neutrons permet de localiser l'hydrogène et d'étudier sa diffusion sur des distances courtes de l'ordre de quelques angströms. La diffusion sur des distances plus importantes est étudiée par des expériences d'exodiffusion. Finalement, une étude de l'alliage magnétique amorphe terbium-fer hydrogéné montre la possibilité d'élargir le domaine d'application de cette méthode d'hydrogénation à d'autres matériaux amorphes

  • Titre traduit

    Lovcalization and stability of hydrogen in the silicon/hydrogenated silicon multilayers


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  • Annexes : 168 ref.

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