Epitaxie par MOVPE de ZnSe sur des substrats semiconducteurs et études des contraintes dans ces hétérostructures

par Michèle Stoehr

Thèse de doctorat en Chimie des matériaux

Sous la direction de Maurice Maurin.

Soutenue en 1991

à Montpellier 2 .


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  • Résumé

    L'epitaxie de znse a ete realisee sur differents substrats semiconducteurs par la methode de l'epitaxie en phase vapeur par les composes organometalliques (movpe). Les heterostructures elaborees ont ete principalement caracterisees par diffraction de rayons x, reflectivite et spectroscopie raman permettant une etude detaillee des contraintes residuelles dans les couches epitaxiees

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  • Détails : [1] f., [6], 239 p., [7] p. de pl
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