Contribution à l'étude des effets semi-permanents induits par les rayonnements ionisants dans les transistors MOS

par Daniel Peyre

Thèse de doctorat en Composants, signaux et systèmes

Sous la direction de Jean Gasiot.

Soutenue en 1991

à Montpellier 2 .


  • Résumé

    Les mecanismes d'interaction qui suivent une irradiation ionisante avec les semiconducteurs et isolant ont pour effet de perturber le fonctionnement des composants electroniques. Nous traitons dans ce memoire des mecanismes d'interaction des rayonnements ionisants avec les transistors m. O. S. Les effets se traduisent par le piegeage des charges dans l'isolant sio#2, leur guerison, et l'apparition au cours du temps d'etats d'interface dont la cinetique de constitution est d'origine obscure. Les differentes phases de la reponse d'un transistor m. 0. S. Sont reliees a une origine phenomenologique. Un modele generalise de transport de trous parvient a simuler l'evolution de la derive de tension seuil durant la phase du transport et de piegeage, jusqu'a 0,1 s apres l'impulsion. Les effets de guerison sont analyses, et, sur la base d'experimentations de commutation de champ, un mecanisme de guerison peu classique associe aux centres e est propose. La constitution d'etats d'interface au cours du temps semble relever d'un phenomene plus complexe que celui decrit par le modele a deux etapes, actuellement en vigueur

  • Titre traduit

    Semipermanent effects induced by an ionizing pulse in a m. O. S. Structure


  • Pas de résumé disponible.

Consulter en bibliothèque

La version de soutenance existe sous forme papier

Informations

  • Détails : [1], 119 f
  • Annexes : Bibliogr. f 117-119

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque :
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TS 91.MON-291

Cette version existe également sous forme de microfiche :

  • Non disponible pour le PEB
  • Cote : MF-1991-PEY
Voir dans le Sudoc, catalogue collectif des bibliothèques de l'enseignement supérieur et de la recherche.