Contribution à l'étude des effets semi-permanents induits par les rayonnements ionisants dans les transistors MOS

Semipermanent effects induced by an ionizing pulse in a m. O. S. Structure

• Auteur / Autrice : Daniel Peyre
• Direction : Jean Gasiot
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Composants, signaux et systèmes
• Date : Soutenance en 1991
• Etablissement(s) : Montpellier 2

Mots clés

Mots clés contrôlés

MOS (électronique)

Rayonnements ionisants

Chimie des surfaces

Interfaces (sciences physiques)

Résumé

Les mecanismes d'interaction qui suivent une irradiation ionisante avec les semiconducteurs et isolant ont pour effet de perturber le fonctionnement des composants electroniques. Nous traitons dans ce memoire des mecanismes d'interaction des rayonnements ionisants avec les transistors m. O. S. Les effets se traduisent par le piegeage des charges dans l'isolant sio#2, leur guerison, et l'apparition au cours du temps d'etats d'interface dont la cinetique de constitution est d'origine obscure. Les differentes phases de la reponse d'un transistor m. 0. S. Sont reliees a une origine phenomenologique. Un modele generalise de transport de trous parvient a simuler l'evolution de la derive de tension seuil durant la phase du transport et de piegeage, jusqu'a 0,1 s apres l'impulsion. Les effets de guerison sont analyses, et, sur la base d'experimentations de commutation de champ, un mecanisme de guerison peu classique associe aux centres e est propose. La constitution d'etats d'interface au cours du temps semble relever d'un phenomene plus complexe que celui decrit par le modele a deux etapes, actuellement en vigueur