Simulation numérique de la collection des charges induites par un ion lourd dans une diode silicium

par Alain Michez

Thèse de doctorat en Composants, signaux et systèmes

Sous la direction de Guy Bordure.

Soutenue en 1991

à Montpellier 2 .


  • Résumé

    Lorsqu'un ion lourd energetique traverse un dispositif a semi-conducteur, il genere une grande densite de paires electrons-trous le long de sa trace. Les porteurs libres ainsi crees vont perturber le fonctionnement du dispositif, particulierement s'ils se trouvent au voisinage d'une zone de charge d'espace. Nous presentons les techniques numeriques utilisees pour ce type de simulation, puis les resultats de simulation d'ion lourd traversant une jonction pn au silicium que nous comparons aux resultats experimentaux proposes dans la litterature. A l'aide de ces simulations, nous proposons une description du phenomene d'aspiration de charges apparaissant dans la diode lors de la collection des charges generees

  • Titre traduit

    Numerical simulation of the charge collection from heavy ion in silicion pn jonction


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Informations

  • Détails : 135 f
  • Annexes : Bibliogr.: f. 133-135, incluant "in fine" la liste des publ. de l'auteur

Où se trouve cette thèse\u00a0?

  • Bibliothèque : Bibliothèque universitaire Sciences et techniques (Montpellier).
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TS 91.MON-168

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  • Cote : MF-1991-MIC
  • Bibliothèque : Université Paris-Est Créteil Val de Marne. Service commun de la documentation. Section multidisciplinaire.
  • PEB soumis à condition
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