Bruit et corrélation dans les transistors MOS en régime de multiplication

Cross-correlation and noise in silicon mosfet's during the multiplication process

• Auteur / Autrice : Mourad Benabdesselam
• Direction : Dominique Rigaud
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Composants, signaux et systèmes
• Date : Soutenance en 1991
• Etablissement(s) : Montpellier 2

Mots clés

Mots clés contrôlés

Électrons -- Corrélation

Bruit électronique

MOS (électronique)

Résumé

Le phenomene de multiplication des porteurs dans le canal d'un transistor m. O. S. En regime de saturation est analyse pour en deduire les equations des courants de drain et de substrat. Les resultats experimentaux sont en bon accord avec le modele obtenu. Les sources de bruit au niveau du drain et du substrat sont evaluees compte tenu de la multiplication. L'obtention du spectre croise permet de calculer theoriquement la variation de la correlation entre ces deux sources de bruit en fonction de la frequence. Les resultats experimentaux analyses dans le detail sont en bon accord avec la theorie et mettent en evidence des sources de bruits decorrelees lorsque les courants substrat deviennent importants. La determination du facteur de multiplication a partir des mesures de bruit confirme les valeurs obtenues par le modele de conduction du premier ordre