Bruit et corrélation dans les transistors MOS en régime de multiplication

par Mourad Benabdesselam

Thèse de doctorat en Composants, signaux et systèmes

Sous la direction de Dominique Rigaud.

Soutenue en 1991

à Montpellier 2 .


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  • Résumé

    Le phenomene de multiplication des porteurs dans le canal d'un transistor m. O. S. En regime de saturation est analyse pour en deduire les equations des courants de drain et de substrat. Les resultats experimentaux sont en bon accord avec le modele obtenu. Les sources de bruit au niveau du drain et du substrat sont evaluees compte tenu de la multiplication. L'obtention du spectre croise permet de calculer theoriquement la variation de la correlation entre ces deux sources de bruit en fonction de la frequence. Les resultats experimentaux analyses dans le detail sont en bon accord avec la theorie et mettent en evidence des sources de bruits decorrelees lorsque les courants substrat deviennent importants. La determination du facteur de multiplication a partir des mesures de bruit confirme les valeurs obtenues par le modele de conduction du premier ordre

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Informations

  • Détails : [2], 125, [10] f
  • Annexes : Notes bibliogr. regroupées en fin d'ouvrage, [5] f

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  • Bibliothèque : Bibliothèque interuniversitaire. Section Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TS 91.MON-119
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