Faisabilité de structures métal-oxyde-semiconducteur sur films minces de Si-LPCVD par procédé technologique à basse température (600o C)

par Philippe Taurines

Thèse de doctorat en Électronique

Sous la direction de Danièle Bielle Daspet.

Soutenue en 1991

à Toulouse, INSA .


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  • Résumé

    La faisabilite des structures mos sur films minces de polysilicium, obtenus a partir de depots chimiques en phase vapeur a basse pression, est analysee du point de vue de la qualite electrique des oxydes thermiques realises a 600c et de l'effet des conditions de depot des films sur leur cinetique d'oxydation et leur structure cristalline. Dans une premiere etape, l'etude met en relief les avantages indeniables offerts par l'emploi du disilane, au lieu du silane, comme gaz de depot, a savoir: temperature de depot plus basse, vitesse de depot plus elevee et enfin taille de grains plus grande lorsque les films sont deposes a l'etat quasi-amorphe puis cristallises a 600c. L'oxydation thermique a 600c en ambiance humide, d'abord realisee pour du silicium monocristallin <100>, nous a permis de montrer la possibilite d'obtenir par ce procede un oxyde piedestal de l'ordre de 10 nm d'epaisseur et de tres bonne qualite electrique: champs de claquage de l'ordre de 13-15 mv, barriere de potentiel chrome-oxyde de 3 ev. Concernant l'oxydation des films lpcvd de silicium, nous mettons en evidence que les meilleurs oxydes, pour lesquels les champs de claquage et les hauteurs de barriere de potentiel (metal-oxyde et oxyde-semiconducteur) sont les plus eleves, sont obtenus avec les films qui presentent simultanement la plus grosse taille de grains et le plus faible taux d'oxydation, c'est-a-dire les films deposes a 555c (300 mt) dans le cas de la filiere gazeuse silane. De plus, cette oxydation permet simultanement de realiser l'oxyde de grille et de recristalliser le film de silicium depose par lpcvd

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  • Détails : [6]-125 f
  • Annexes : 62 REF

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  • Cote : B-TAU
  • Bibliothèque : Institut national des sciences appliquées. Bibliothèque centrale.
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  • Cote : 1991/168/TAU
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