Etude et faisabilité de couches de silice ultra-minces par procédé thermique rapide

par Abdellatif Yahia Messaoud

Thèse de doctorat en Électronique

Sous la direction de Augustin Martinez.

Soutenue en 1991

à Toulouse, INSA .


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  • Résumé

    Dans ce memoire, les cinetiques d'oxydation par procede thermique rapide (rto) ont ete etudiees dans la gamme de temperatures 1060-1240c. Un effort particulier a ete consenti pour l'etude des parametres technologiques (nettoyage, cycle d'oxydation, mesure de la temperature. . . ) intervenant avant, pendant et apres l'oxydation pour d'une part bien nettoyer le substrat, optimiser et homogeneiser le chauffage et d'autre part mieux caracteriser les couches de silice ainsi realisees (ellipsometrie, profilometrie, met). La comparaison des resultats experimentaux obtenus dans cette gamme de temperatures avec le modele semi-empirique de c. J. Han et c. R. Helms a donne un bon accord. En outre, aucun phenomene specifique a la technique rto n'a ete constate. Des mesures electriques (capacite-tension, courant-tension, polarisation a courant constant) effectuees sur des diodes metal-isolant-semiconducteur (epaisseur d'isolant: 80-100 a), realisees par rto ont donne des champs de claquage de l'ordre de 15 mv/cm, des densites d'etat d'interface de 3. 10#1#1 ev##1. Cm##2 et des charges au claquage egal a 40 c. Cm##2 (j=1a/cm#2). Ces resultats figurent parmi les meilleurs de la litterature et confirment que les procedes thermiques rapides sont une voie tres prometteuse pour la technologie submicronique

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  • Détails : [5]-136 f

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  • Disponible pour le PEB
  • Cote : B-YAH
  • Bibliothèque : Institut national des sciences appliquées. Bibliothèque centrale.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 1991/169/YAH
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