Modélisation du transistor V. DMOS pour simulation de circuits en électronique de puissance

par Malgorzata Napieralska

Thèse de doctorat en Électronique

Sous la direction de Pierre Rossel.

Soutenue en 1991

à Toulouse, INSA .


  • Résumé

    Un modele non lineaire du transistor v. Dmos de puissance a canal court dont les elements ne dependent que des donnees physiques et technologiques du composant est presente. Par analyse des regions actives de la structure du composant en vue de l'etude des regimes de commutation, ce modele est simplifie jusqu'a une topologie compatible avec le simulateur spice. Les procedures d'acquisition de ses parametres sont precisees ainsi que les tests de validation. Une bibliotheque informatique d'interrupteurs de puissance mos, destinee a la conception des circuits de puissance est cree par caracterisation des transistors (canal n et p) couvrant les gammes de tension 50v-1000v et de courant 2a-50a. Un modele unifie du v. Dmos est ensuite propose, qui necessite pour une technologie donnee deux parametres: calibre en tension et surface de puce du silicium. Un programme etabli, base sur l'environnement hypercard (macintosh) et couple avec spice permet d'etablir les modeles de produits catalogue et creer un modele pour de nouveaux composants. Cette modelisation est completee par la prise en compte de la temperature de cristal ainsi que diverses configurations de test. Un macromodele destine a rendre compte du comportement electrique sous contraintes radiatives des v. Dmos est aussi etabli et valide par comparaison entre les resultats experimentaux et la simulation. L'elaboration d'un montage de bras de pont a base de transistors mos, et sa simulation par spice permet enfin de mettre en evidence la validite du modele dans ce type d'application en prenant en compte des problemes lies a l'existence des elements parasites dans les circuits de l'electronique de puissance


  • Pas de résumé disponible.

Consulter en bibliothèque

La version de soutenance existe sous forme papier

Informations

  • Annexes : 125 REF

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Institut national des sciences appliquées. Bibliothèque centrale.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 1991/148/NAP
  • Bibliothèque :
  • Accessible pour le PEB
Voir dans le Sudoc, catalogue collectif des bibliothèques de l'enseignement supérieur et de la recherche.