Contribution a l'etude des proprietes electroniques de hg(1-x) zn x te pour x voisin de 0. 15

par AMADOU SEYNI MAYAKI

Thèse de doctorat en PHYSIQUE

Sous la direction de Alain Lasbley.

Soutenue en 1991

à Rennes, INSA .

mots clés

Résumé

L'etude des proprietes electriques du compose hg (1-x) zn x te pour x voisin de 0. 15 a ete effectuee sur des materiaux bruts de croissance t. H. M. , ainsi qu'apres des recuits sous pression de mercure a differentes temperatures et apres dopage au cuivre et a l'indium. Les mesures de conductivite et d'effet hall realisees entre 4. 2 k et 300 k et avec des inductions magnetiques allant jusqu'a 5 t ont permis la caracterisation des proprietes electroniques du materiau. Brut de tirage, les echantillons sont de type p, cependant le depouillement des resultats experimentaux prend en compte la contribution des electrons et des trous legers dans les domaines de temperature ou elle devient appreciable. La mobilite des porteurs calculee par une methode iterative et qui tient compte des dispersions par les phonons acoustiques, les centres charges, le desordre d'alliage decrit bien les resultats experimentaux en prenant les parametres du modele de kane pris pour hg cd te. Une estimation des masses effectives des electrons et des trous legers et des trous lourds a ete donnee. Le dopage par le cuivre permet un fort dopage p sans degradation de mobilite qui leve la degenerescence de l'extremum des bandes de trous lourds et trous legers. L'etude de l'evolution des concentrations en porteurs avec la temperature a permis d'evaluer la densite de donneurs residuels dont la concentration est voisine de celle trouvee de cd hg te alors que la concentration en accepteurs residuels reste elevee et depend des echantillons

Titre traduit

Electronic properties of bulk hg(1-x) zn x te near x=0. 15

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