Modèles physiques et analyse du fonctionnement des composants MOS intégrés sur SIMOX

par Thierry Ouisse

Thèse de doctorat en Physique composants semiconducteurs

Sous la direction de Sorin Cristoloveanu.

Soutenue en 1991

à Grenoble, INPG .

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  • Résumé

    Ce memoire est consacre a la caracterisation et la modelisation des composants mos des technologies silicium sur isolant (soi). Le premier chapitre contient une description generale des differentes technologies soi et rappelle l'interet de telles structures pour la microelectronique, puis nous nous concentrons sur le materiau simox. Nous developpons une analyse des effets de couplage electrique intervenant entre les diverses interfaces des transistors mos soi totalement desertes. Nous proposons ensuite une approche analytique originale des phenomenes d'hysteresis et de conductance/transconductance negative apparaissant dans les transistors mos soi partiellement desertes. Nous developpons l'analogie formelle existant entre ces effets de substrat flottant et une transition de phase. L'application de la technique de pompage de charge aux structures soi est decrite en detail, et la mise en evidence de phenomenes specifiques permet de clarifier les conditions optimales d'utilisation. Les deux derniers chapitres traitent des mecanismes physiques de degradation des transistors mos soi. Nous etudions d'abord les effets d'une injection de porteurs chauds puis ceux d'un rayonnement ionisant. Nous mettons ainsi en evidence la structure physique particuliere de l'oxyde enterre obtenu par implantation d'oxygene

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  • Détails : 1 vol. (216 p.)

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  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
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  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TS 91/INPG/0090
  • Bibliothèque : Phelma. Bibliothèque.
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