Etude de la rugosité aux interfaces d'hétérostructures GaAs-(Al,Ga)As épitaxiées sous jets moléculaires

par Christiane Deparis

Thèse de doctorat en Energ. physique

Sous la direction de Jean Massies.

Soutenue en 1991

à Grenoble, INPG .

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  • Résumé

    L'etude de la rugosite aux interfaces gaas-(al,ga)as de structures puits quantiques et super-reseaux realisees en epitaxie sous jets moleculaires (ejm) est abordee sous deux aspects: la recherche des criteres permettant de definir un etat de rugosite et la recherche de procedures permettant 1) de fixer la rugosite, 2) de la diminuer. Les caracteristiques definissant l'etat de rugosite aux interfaces ont ete basees sur les proprietes de photoluminescence des structures realisees. Des surfaces vicinales de gaas(001) ont ete utilisees pour fixer un etat de rugosite equivalent aux deux interfaces (directe et inverse). Des differences tres importantes ont ete mises en evidence selon que les surfaces utilisees presentent des marches de type as ou ga. Les etats de rugosite et les proprietes de luminescence associees a ces deux types de surfaces ont ete precisees. La procedure de croissance par jets moleculaires alternes a ete mis en uvre pour tenter de reduire la rugosite de surfaces nominales gaas(001). Les resultats de l'analyse en diffraction electronique rasante et en photoluminescence de structures realisees selon une telle procedure sont discutes

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  • Détails : 260, [54] p

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  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
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  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TS 91/INPG/0029
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