Caractérisation, par le bruit en 1/f, et simulation des effets de vieillissement et de bords dans les microtransistors MOS

par Boubaker Boukriss

Thèse de doctorat en Micro-électronique

Sous la direction de Alain Chovet.

Soutenue en 1991

à Grenoble, INPG .

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  • Résumé

    Ce memoire est consacre tout d'abord a l'etude du bruit en 1/f des microtransistors mos vierges et vieillis electriquement ou par irradiation. Pour chaque type de vieillissement, nous avons determine les types et evalues les densites de defauts crees. Un modele a ete mis au point pour la simulation, unidimensionnelle ou bidimensionnelle, en regime ohmique, des effets du vieillissement electrique sur les caracteristiques statiques, la transconductance et le bruit en 1/f. Du a l'interaction entre les zones degradee et non degradee du canal, un phenomene de depassement a ete obtenu sur le niveau de bruit comme sur la transconductance. Nous presentons ensuite des resultats de mesure de bruit basse frequence pour plusieurs types de transistors mos sur simox: conventionnel, ou carres, de diverses dimensions et fabriques a differentes temperatures d'implantation et de recuit. Nous indiquons les parametres importants pour minimiser le bruit. Nous avons egalement etudie les effets de bord dans ces transistors, en particulier leur influence sur les caracteristiques statistiques, le pompage de charges et le bruit en 1/f; un modele a ete elabore afin d'expliquer et de simuler les effets de bords sur le bruit en 1/f

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  • Détails : 1 vol. (176 p.)

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  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
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  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TS 91/INPG/0015
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