Evolution structurale du joint de grains [sigma] = 9 (122) déformé, dans le silicium : étude par microscopie électronique à haute résolution

par Jean-Luc Putaux

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de JANY THIBAULT-DESSEAUX.

Soutenue en 1991

à l'Université Joseph Fourier (Grenoble) .

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  • Résumé

    Des bicristaux de silicium, contenant initialement le joint de flexion symetrique sigma 9 ont ete deformes macroscopiquement, en traction ou en compression, a differentes temperatures. L'interface a ete caracterisee apres deformation par microscopie electronique a haute resolution. Les observations ont permis de clarifier, a l'echelle atomique, le mecanisme des interactions entre les dislocations de matrice et le joint de grains. Elles ont montre que l'evolution structurale du joint etait controlee par l'absorption et la decomposition des dislocations dissociees ainsi que le mouvement (par glissement et par montee) et les reactions des residus dans l'interface. Les resultats mettent en evidence la migration du joint, par deplacement de residus associes a une marche, ainsi que la variation de son angle de flexion. Son contenu en defauts est d'autant plus relaxe que la temperature de deformation (agissant directement sur la diffusion) est elevee, favorisant ainsi la repartition periodique des defauts, le facettage et la formation de nouveaux joints de coincidence. Plusieurs structures nouvelles, tetracoordonnees, ont ete modelisees au moyen d'un nombre limite de motifs atomiques, appeles unites structurales, et simulees par calculs numeriques. Des regles gouvernant le melange de ces unites ont ete enoncees

  • Titre traduit

    Structural evolution of a deformed sigma 9 grain boundary in silicon. A high resolution electron microscopy study


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Informations

  • Détails : 162 f
  • Annexes : 80 REF

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  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TS 91/GRE1/0134
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