Contribution à la mise au point d'une filière tout in situ en ultra-vide, pour l'élaboration de structures mis sur InP : Optimisation de l'interface Al203/InP

par Claudf1951-.... Santinelli

Thèse de doctorat en Sciences. Électronique

Sous la direction de Blanchet, Robert.

Soutenue en 1991

à l'Ecully, Ecole centrale de Lyon .


  • Résumé

    Le but de ce travail etait de contribuer a la definition de procedes technologiques permettant la realisation de transistors misfet sur phosphure d'indium (inp). Le travail presente concerne la realisation de structures test de type mis, metal/alumine/inp, pour laquelle l'obtention de bonnes caracteristiques electriques est liee d'une part a l'optimisation du depot d'alumine, et d'autre part a la passivation de l'interface formee entre l'imp et l'alumine. La demarche adoptee a ete d'utiliser les moyens technologiques et les methodes mises en uvre en epitaxie par jets moleculaires pour amener, d'une part un meilleur controle et une plus grande reproductibilite dans la realisation des structures mis, et d'autre part une meilleure comprehension des proprietes microscopiques de l'interface alumine/inp. Nous decrivons, dans un premier temps, les differentes techniques de depot d'alumine et les procedures d'optimisation que nous avons etablies. La mise en evidence du role fondamental d'une precouche rendue plus stoechiometrique par l'exposition prolongee a de l'oxygene a permis d'aboutir a une technique optimale de depot par evaporation d'alumine au canon a electrons. Diverses techniques de preparation de la surface de l'inp avant depot d'alumine ont ete explorees. Nous montrons que les meilleurs structures mis presentant des proprietes electriques de qualite (densite d'etats electroniques rapides de l'ordre de 1. 10#1#1 cm##2. Ev##1 a 0,3 ev de la bande de conduction) sont obtenues apres un traitement thermique de la surface d'inp sous flux d'arsenic. L'optimisation de l'interface inp//as/alumine a ete conduite grace a l'apport de moyens de caracterisation in situ (rheed, xps) et une correlation directe avec les mesures electriques capacitives. Nous montrons que la preparation chimique initiale de la surface d'inp et la temperature du traitement sous flux d'arsenic sont les deux parame


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Informations

  • Détails : 1vol. (140 p.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : 93 réf.

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  • Bibliothèque : Ecole centrale de Lyon. Bibliothèque Michel Serres.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : T1382
  • Bibliothèque : Ecole centrale de Lyon. Bibliothèque Michel Serres.
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