Realisation et mise en uvre d'appareillages et de methodes de caracterisations electriques des semiconducteurs iii-v

par LATIFA ELBATAL

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de Jean-Paul Germain.

Soutenue en 1991

à Clermont-Ferrand 2 .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Ce memoire est divise en deux parties: une partie traite l'effet hall, l'autre des mesures i-v, c-v et g-v. La premiere partie decrit et qualifie le banc de mesure d'effet hall a temperature variable (77 k. . . 400 k) que nous avons realise et la methode de realisation des contacts ohmiques utilisee. L'etude des variations avec la temperature, de la resistivite, de la mobilite et de la concentration des porteurs libres des echantillons inp et galnas testes a permis de determiner les mecanismes collisionnels preponderants, ainsi que l'energie d'activation des donneurs (ou accepteurs) profonds. La mobilite a 77 k a permis pour inp de determiner le rapport de compensation. La deuxieme partie decrit et qualifie les bancs de mesure i-v et c-v a temperature variable (77 k. . . 400 k) que nous avons montes. Les caracterisations par les techniques i-v et c-v ont ete testees sur des diodes schottky al-gaas et m. I. S. Tunnel al/sio#2/si. Les resultats obtenus pour les diodes schottky ont revele un ecart important entre les hauteurs de barriere calculees par i-v et par c-v, de meme qu'une variation du facteur d'idealite et de la hauteur de barriere avec la temperature et l'energie du bombardement ionique. Les resultats obtenus pour les diodes m. I. S. Tunnel ont montre que le transport de courant s'effectuait par effet thermoionique assiste et que le recuit a 400 k permettait de debloquer le niveau de fermi et de reduire la densite des etat d'interface


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  • Annexes : 90 REF

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