Procédés thermiques rapides : étude de l'oxydation du silicium et de l'activation de l'impureté bore implantée

par Francois Marou

Thèse de doctorat en Micro-électronique

Sous la direction de Augustin Martinez.

Soutenue en 1990

à Toulouse 3 .


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  • Résumé

    L'objectif de ce memoire est d'examiner les potentialites offertes par les recuits thermiques rapides concernant la diffusion du bore implante dans le silicium et la realisation de couches minces d'oxyde. Dans une etude preliminaire, il est montre qu'un four de recuit rapide correspond bien aux machines susceptibles d'etre integrees dans les salles blanches du futur: automatiques, robotisees et assurant un environnement ultrapropre aux plaquettes traitees. Les problemes lies a la mesure de la temperature et au controle de son homogeneite sont ensuite mis en evidence. Des solutions sont proposees, comme l'utilisation de suscepteurs ou bien celle d'un porte-substrat comportant des ecrans. Deux applications sont alors abordees: le recuit de bore implante et l'oxydation rapide du siliium. La premiere confirme la presence d'un phenomene de diffusion acceleree dans la phase initiale du recuit, ayant pour origine des defauts d'implantation. Ce mecanisme fait l'objet d'une etude detaillee, puis des techniques permettant de s'en affranchir sont suggerees: pre-amorphisation du silicium ou implantation de bf2. Dans la seconde, la croissance des premieres couches de silice est analysee en fonction des cinetiques d'oxydation. L'influence du nettoyage pre-oxydation et du recuit post-oxydation sur la qualite des oxydes obtenus, est egalement etablie. Enfin, l'etude de la diffusion du bore sous oxydation rapide permet de verifier qu'elle est acceleree comme dans le cas d'oxydations classiques, car elle est correlee a la vitesse de croissance de l'oxyde

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Informations

  • Détails : [6]-134 f

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  • Bibliothèque : Moyens Informatiques et Multimédia. Information.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : B-MAR
  • Bibliothèque : Université Paul Sabatier. Bibliothèque universitaire de sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 1990TOU30044
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