Caracterisation des defauts dans les materiaux phnotothermoplastiques (pvk) et photorefractifs (gaas)

par SAIDA EL HAMD et G. P. ZIELINGER

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Directeur de these inconnu.

Soutenue en 1990

à Strasbourg 1 .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    La photoconductivite dans les polymeres amorphes et en particulier dans le pvk, generalement dope par le tnf a ete le sujet de nombreuses etudes theoriques experimentales. Les etudes dans ce domaine portent essentiellement sur deux types de problemes: photogeneration de porteurs libres et transporot de charges sous l'effet d'un champ electrique externe. Dans le present travail nous avons aborde le probleme de la photoconductivite d'une maniere differente de la methode du temps de vol. La methode d'analyse utilisee est la picis, concue pour la caracterisation des niveaux pieges discrets dans les semi-isolants, mais il peut conduire a reveler la presence d'une distribution continue d'etats d'energie dans les materiaux amorphes. Les principales conclusions qu'on puisse tirer de cette etude sont: 1) variation en fonction de la temperature de la photoconductivite stationnaire est probablement determinee principalement par l'activation thermique de la probabilite de dissociation des paires declin du photocourant suit en general une loi proche de t##b, mais l'exposant b peut prendre des valeurs differentes selon l'intervalle de temps considere et peut dependre des parametres experimentaux. Une observation importante est que le seul parametre qui determine directement la forme du declin est la concentration initiale des photoporteurs mobiles. D'autre part, en fin de transitoire, la variation tend vers une loi proche de t##1 ou (a+bt)##1. En fait, les deux modeles, piegeage multiple et hopping peuvent etre utilises indifferemment pour interpreter les resultats. Partant du modele du piegeate multiple, nous avons mis au point un programme d'exploitation numerique permettant d'evaluer pour la premiere fois la fonction de distribution des etats d'ene'rgies responsables du piegeage des photoporteurs

  • Titre traduit

    Caracterization of the defects in photothermoplastics (pvk) and photorefractives (gaas) materials


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  • Annexes : 89 REF

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  • Bibliothèque : Université de Strasbourg. Service commun de la documentation. Bibliothèque Danièle Huet-Weiller.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : Th.Strbg.Sc.1990;768
  • Bibliothèque : Université de Strasbourg. Service commun de la documentation. Bibliothèque Danièle Huet-Weiller.
  • Non disponible pour le PEB
  • Cote : H 503.000,1990
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