Cristallisation par traitement laser de films de silicium amorphe hydrogènes : caractérisation structurale

par Jean-Guy Maillou

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de E.-L. MATHE.

Soutenue en 1990

à Poitiers .

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  • Résumé

    Nous etudions dans ce memoire la cristallisation par irradiation laser de couches minces de silicium amorphe depose par decomposition chimique en phase vapeur (cvd), ou par pulverisation, sur des substrats de verre ou de silice. Les lasers utilises sont le laser a excimere ar. F pulse et le laser continu argon. Les techniques utilisees pour caracteriser ces echantillons avant et apres irradiation par laser sont: les rayons x a incidence rasante, la microscopie electronique par transmission et la reflectivite optique (spectrometre beckman). Dans les deux types d'echantillons, apres irradiation par laser a excimere ar. F, la couche cristallisee comporte une zone a gros grains en surface et une zone a grains fins sous jacente: nous etudions leurs epaisseurs et leurs aspects en fonction des densites d'energie du faisceau et du mode de depot. Les resultats experimentaux sont compares avec le modele thermique de s de unamuno. Nous montrons que la densite d'energie de seuil pour la cristallisation a l'aide d'un laser a excimere ar. F, est en bon accord avec la densite d'energie de seuil calculee pour fondre le silicium amorphe. Nous mettons de plus en evidence d'apparition de bulles dans la zone cristallisee des couches deposees par cvd


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  • Annexes : 87 REF

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