Etude experimentale des proprietes de transport non stationnaire dans inp par photoconduction

par PATRICE DE CARRE

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Suzanne Laval.

Soutenue en 1990

à Paris 11 .

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  • Résumé

    Le developpement de l'electronique rapide et de l'optoelectronique est associe a celui des semiconducteurs composes iii-v, dont inp. Ce travail porte sur l'etude experimentale des phenomenes de transport non stationnaire dans inp, par mesure de photocourant en regime permanent d'eclairement, sur des dispositifs semiconducteurs submicroniques de differentes longueurs. L'interpretation des resultats fait appel a des simulations numeriques de type monte-carlo. La structure de bande d'inp et les mecanismes d'interactions entre electrons et reseau cristallin sont decrits et permettent d'analyser les caracteristiques de transport electronique stationnaire et non stationnaire obtenues a l'aide de simulations numeriques. Les caracteristiques de transport dans inp sont comparees a celles obtenues dans gaas. La methode de photoconduction employee permet de s'affranchir des effets geometriques lies a la structure planaire des dispositifs et, en ne mesurant que des photocourants faibles devant le courant d'obscurite, d'une eventuelle non-linearite des contacts. La vitesse moyenne des porteurs peut alors etre deduite d'une mesure du photocourant en regime permanent d'eclairement lorsqu'une bonne reproductibilite des conditions d'eclairement est assuree. Les phenomenes de diffraction de la lumiere par la fente epaisse formee par l'espace interelectrode sont mis en evidence et l'estimation des coefficients de transmission de la lumiere est validee experimentalement. La caracterisation des echantillons faite en obscurite, sous eclairement et sous champ magnetique a permis de determiner la mobilite dans les couches epitaxiees et sous la surface ainsi que le dopage residuel des couches. A 300 k et 77 k, les caracteristiques donnant les variations du photocourant en fonction du champ electrique applique montrent sous certaines conditions experimentales, l'existence du phenomene de survitesse sur des longueurs s


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  • Annexes : 98 REF

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  • Bibliothèque : Centre Technique du Livre de l'Enseignement supérieur (Marne-la-Vallée, Seine-et-Marne).
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TH2014-009921
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