Effets de canal court dans les transistors fet's gaas. Etude experimentale, role d'une couche p implantee et contribution a la modelisation

par JINGYAN ZHANG

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de SERGE GOURRIER.

Soutenue en 1990

à Paris 11 .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    L'amelioration des performances frequencielles et l'augmentation de la vitesse des circuits integres gaas necessitent une reduction de la longueur de grille et de la resistance d'acces des mesfet's gaas. La reduction de la longueur de grille est accompagnee d'effets parasites importants: effets de canal court, reponse basse frequence de l'interface couche active-substrat. Notre etude porte sur la reduction de ces effets. Deux solutions sont proposees: l'une consiste a implanter une couche p sous le canal conducteur n afin de creer une jonction p/n s'opposant a l'injection des porteurs dans le substrat qui est la cause principale de ces effets. L'autre, inspiree de la technologie mosfet, consiste a implanter des regions intermediaires (n) entre les regions n#+ et la couche active n, realisant un compromis entre les effets de canal court et la resistance d'acces ou la transconductance. Ces deux techniques ont ete evaluees par l'experimentation, un modele bidimensionnel est adapte pour nous permettre de comprendre le comportement physique du composant. Les effets de la couche p et des regions intermediaires (n) ont permis d'optimiser les transistors selon le type d'application


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Informations

  • Annexes : 108 REF

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  • Bibliothèque : Université Paris-Sud (Orsay, Essonne). Service Commun de la Documentation. Section Sciences.
  • Accessible pour le PEB
  • Bibliothèque : Centre Technique du Livre de l'Enseignement supérieur (Marne-la-Vallée, Seine-et-Marne).
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TH2014-009885
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