Contribution a la technologie d'epitaxie en phase vapeur aux organometalliques appliquee aux composants optoelectroniques classiques et quantiques a base de gainasp

par Abdallah Ougazzaden

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de A. MIRCEA.

Soutenue en 1990

à Paris 7 .

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  • Résumé

    En utilisant la technique de croissance en phase vapeur par la methode des organometalliques, nous avons etudie l'uniformite et la reproductibilite des doubles heterostructures ingaasp/inp et les heterostructures a puits quantiques ingaas/ingaasp/inp pour les composants optoelectroniques. Nous avons obtenu une excellente qualite de materiau, avec une tres belle morphologie, tres bonne uniformite d'epaisseur, tres bonne uniformite de composition et de dopage et une tres bonne reproductibilite. Ce systeme est tres adapte a la production avec un faible cout et en grande quantite de tous les composants semiconducteurs qui demandent un bon controle d'epaisseur, de composition et de dopage


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Informations

  • Annexes : 47 REF

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  • Bibliothèque : Université Paris Diderot - Paris 7. Service commun de la documentation. Bibliothèque Universitaire des Grands Moulins.
  • Accessible pour le PEB
  • Cote : TS1990
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