Defauts ponctuels dans les super-reseaux

Point defects in semiconductor superlattices

• Auteur / Autrice : SONG LIN FENG
• Direction : Jacques Bourgoin
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique
• Date : Soutenance en 1990
• Etablissement(s) : Paris 7

Résumé

Des couches epitaxiales de gaas, gaalas et des super-reseaux gaas-gaalas, gaas-alas ont ete etudies par des methodes de spectroscopies capacitives pour caracteriser les defauts qu'ils contiennent. Nous avons montre que les caracteristiques electroniques d'un defaut dans un super-reseau peuvent etre deduites a partir de celles qu'il a dans les materiaux massifs qui composent ces super-reseaux. Nous avons aussi pu utiliser des defauts ponctuels produits par irradiation electronique comme sonde locale pour determiner la discontinuite des bandes et la position de la premiere minibande, grace a leur caractere de localisation. Enfin nous avons demontre qu'il est possible de distinguer la nature du niveau profond et de masse effective d'un defaut en examinant le comportement du niveau associe lorsque ce defaut est place dans un super-reseau. L'application au centre dx, defaut dominant dans gaalas dope de type n, a permis de conclure que ce defaut n'est autre que le niveau de masse effective du donneur lie a la bande l