Microstructure des couches de gaas epitaxiees sur si par movpe

par Cyril Vannuffel

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Richard Portier.

Soutenue en 1990

à Paris 6 .


  • Résumé

    L'epitaxie de gaas sur si est potentiellement interessante dans la mesure ou elle doit permettre d'integrer des dispositifs optoelectroniques, tels que des diodes electroluminescentes ou des lasers, sur silicium. La croissance est effectuee en deux etapes, a 450#oc puis a 650#oc. Au cours de la premiere nous observons une dissymetrie de repartition des defauts crees. Ceci est relie a la relation existant entre l'orientation du gaas et la desorientation de si par rapport a (001) vers |110|. La difference de parametre de maille de 4% existant entre gaas et si est rattrapee par un reseau de dislocations coins (couches epaisses de 4 m), ce reseau contient aussi quelques dislocations a 60#o parfaites. La densite des dislocations au voisinage de la surface des meilleures couches obtenues est de l'ordre de 10#6 cm##2 bien que ce soit un bon resultat pour les plaquettes de gaas/si, cette valeur reste trop elevee pour une utilisation pratique


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Informations

  • Details : 1 vol. (194p.)
  • Annexes : 204 REF

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  • Library : Université Pierre et Marie Curie. Bibliothèque Universitaire Pierre et Marie Curie. Section Biologie-Chimie-Physique Recherche.
  • Accessible pour le PEB
  • Bibliothèque : Université Pierre et Marie Curie. Bibliothèque Universitaire Pierre et Marie Curie. Section Biologie-Chimie-Physique Recherche.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : T Paris 6 1990 348
  • Bibliothèque : Université de technologie de Belfort-Montbéliard. Bibliothèque.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : THESE 90 VAN
  • Bibliothèque : Centre Technique du Livre de l'Enseignement supérieur (Marne-la-Vallée, Seine-et-Marne).
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : PMC RT P6 1990
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