Conception de circuits hyperfrequences a base de transistor bipolaire a heterojonction gaas/gaalas

par CATHERINE ALGANI BALBINOT

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de Georges Alquié.

Soutenue en 1990

à Paris 6 .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Ce travail montre la demarche suivie pour concevoir et realiser des circuits hyperfrequences a base de transistor bipolaire a heterojonction gaas/gaalas. Le transistor bipolaire a heterojonction gaas/gaalas est decrit d'un point de vue theorique ainsi que tous les phenomenes physiques intervenant lors de son fonctionnement. A partir de ces considerations, on modelise le transistor dans les domaines lineaire et non lineraire. Ces modeles sont ensuite utilises pour concevoir des circuits microondes performants. Ce type de transistor est compare a ses principaux concurrents: le transistor bipolaire homojonction sur silicium et le mesfet sur arseniure de gallium. Ses principaux avantages ressortent de cette comparaison. Un recapitulatif international des derniers circuits realises avec le tbh est effectue dans les trois domaines d'applications potentiels: la logique, l'optoelectronique et l'analogique hyperfrequence. Les circuits microondes realises au cours de cette these pour des applications en telecommunications sont presentes. On aborde, pour chaque circuit, la conception, le dessin et les resultats. Trois circuits ont ete testes: un oscillateur libre fonctionnant a 1,2 ghz, un melangeur en structure simple equilibree a des frequences rf-lo de 1,2-1,3 ghz et un photorecepteur fonctionnant a 5 gbits/s. Tous ces circuits sont fabriques en technologie hybride sur substrat d'alumine. Enfin une etude preliminaire theorique sur des amplificateurs haut rendement a conduit au developpement de programmes optimisant le fonctionnement en classes c et e. Le tbh est realise sur substrat gaas semi-isolant. On peut, par consequent, fabriquer des circuits mmic en integrant les etapes technologiques d'elements passifs dans celles de la fabrication du transistor. Deus filieres technologiques sont proposees pour la fabrication d'elements passifs et la description du masque est abordee. Ces elements (des inductance


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Informations

  • Annexes : 100 REF

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université Pierre et Marie Curie. Bibliothèque Universitaire Pierre et Marie Curie. Section Biologie-Chimie-Physique Recherche.
  • Non disponible pour le PEB
  • Cote : T Paris 6 1990 12
  • Bibliothèque : Centre Technique du Livre de l'Enseignement supérieur (Marne-la-Vallée, Seine-et-Marne).
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : PMC RT P6 1990
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