Étude d'un plasma multipolaire utilisé pour la passivation du phosphure d'indium en vue de la réalisation d'un contact schottky oxyde

par Mohammed Belmahi

Thèse de doctorat en Physique des gaz et des plasmas

Sous la direction de Michel Remy.

Soutenue en 1990

à Nancy 1 , en partenariat avec Université Henri Poincaré Nancy 1. Faculté des sciences et techniques (autre partenaire) .


  • Résumé

    L'utilisation des plasmas multipolaires d'oxygène pour la passivation du phosphure d'indium est un procède nouveau qui a permis dans cette première phase d'exploitation d'obtenir des résultats performants. Nous avons montré la faisabilité de l'oxydation de l'inp et mis au point un réacteur plasma multipolaire adapté à la passivation des semi-conducteurs. Les plasmas d'oxygène sont utilisés pour faire croitre des oxydes natifs de faible épaisseur en vue de l'augmentation de la hauteur de barrière du contact ms Schottky équivalent pour une application mesfet inp. Les plasmas sont caractérisés par sondes électrostatiques cylindriques. En supposant que les espèces chargées prépondérantes sont o#2#+, o#, et les électrons, nous avons montré que les plasmas multipolaires d'oxygène sont fortement électronégatifs (généralement n-10ne), denses, froids (te2,5ev) homogènes dans un grand volume et sans champ magnétique. Les oxydes et les interfaces oxyde/inp sont caractérisés par plusieurs techniques: ellipsometrie, esca, photoluminescence, meb, dlts, i(v), c(v) pour déterminer les épaisseurs des oxydes, leur composition chimique, l'homogénéité du dépôt, la densité des états d'interface et leur répartition ainsi que la hauteur de barrière et le facteur d'idéalité équivalents d'une diode Schottky. Ces expériences sont complétées par une étude de la désoxydation in-situ par hydrogène plasma ou atomique avant oxydation. Des études préliminaires sur le traitement par un plasma d'azote de la surface oxydée ont montré une modification favorable des caractéristiques du diélectrique.

  • Titre traduit

    Study of multipolar plasma used to indium phosphide oxydation to improve a Schottky contact barrier height


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  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. 161 réf.

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  • Cote : 1990NAN10114
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