Bruit relatif d'intensité des lasers à semiconducteur

par Irène Joindot

Thèse de doctorat en Composants, signaux et systèmes. Composants électroniques et optiques

Sous la direction de Robert Alabedra et de Bernard Orsal.

Soutenue en 1990

à Montpellier 2 .


  • Résumé

    L'etude porte sur des mesures de bruit relatif d'intensite des lasers a semiconducteur. Elle debute par une modelisation des fluctuations de la puissance optique emise, modelisation pour laquelle nous avons cherche des expressions analytiques approchees les plus simples possibles, faisant intervenir un nombre reduit de parametres aisement mesurables. Les dispositifs experimentaux decrits permettent de confronter theorie et experience. Les frequences ont ete choisies pour observer d'une part (30 mhz) la stabilisation progressive des lasers et la facon dont ils se rapprochent d'une source parfaite, d'autre part (800 mhz a 4 ghz) la frequence de resonance intrinseque. Chaque type de laser a sa signature en bruit: lasers a guidage par le gain et lasers a guidage par l'indice, lasers monomodaux et lasers mutimodaux. Lorsque les differents modes sont separes par un systeme dispersif, on observe le bruit de partition qui renseigne sur les echanges d'energie entre les differents modes. Nous avons pu montrer experimentalement (jusqu'a vingt pour cent au-dessus du seuil) et theoriquement (lorsque le gain ne contient que sa partie lineaire) que le mode principal a le bruit relatif le plus faible et echange de l'energie avec tous les autres modes empechant ceux-ci d'echanger entre eux. Pour terminer nous avons montre qu'il n'existe pas de correlation evidente entre le niveau de bruit et le type de structure enterree developpee a l'heure actuelle et que seule une augmentation de la longueur du laser permet de diminuer legerement ce niveau de bruit

  • Titre traduit

    Relative intensity noise in semiconductor lasers


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Informations

  • Détails : [3], 192 f
  • Annexes : Bibliogr.: f. 7-12

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