Croissance de GaSb et de ses alliages par épitaxie par jets moléculaires et étude des propriétés physiques des surfaces, interfaces et structures élaborées avec ces matériaux

par Fabio Wellington Orlando da Silva

Thèse de doctorat en Milieux denses et matériaux

Sous la direction de Claude Raisin.

Soutenue en 1990

à Montpellier 2 .


  • Résumé

    Cette these presente des travaux sur la croissance par epitaxie par jets moleculaires (ejm) et la caracterisation des proprietes physiques des composes semi-conducteurs gasb et ga(al)sb. Nous avons etudie: a) la preparation des substrats gasb(001) en vue de l'epitaxie; b) les proprietes des surfaces gasb et alsb(001); c) la croissance du gasb sur gaas(001); d) l'elaboration et l'etude des proprietes optiques et structurales de puits quantiques et superreseaux a base de gasb/ga(al)sb


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Informations

  • Détails : [4], 156, [2] f., [13] f. de pl
  • Annexes : Liste des publ. de l'auteur f. 155-156

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  • Cote : TS 90.MON-193
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