Contribution des propriétés de surfaces réelles et de la nature du métal aux caractéristiques électriques des diodes Schottky, Au, Ag et In/n-GaP

par Mohamed Boumediene

Thèse de doctorat en Composants, signaux et systèmes

Sous la direction de Louis Lassabatere.

Soutenue en 1990

à Montpellier 2 .

mots clés

• Diodes à semiconducteur
• Mesures électriques
• Composés semiconducteurs
• Gallium -- Composés
• Surfaces (physique)
• Chimie des surfaces
• Surfaces (technologie) -- Analyse
• Métaux -- interfaces

Résumé

Cette these met en evidence la contribution des proprietes des surfaces reelles de gap aux proprietes electriques des diodes. A partir des etudes au microscope electronique et par spectroscopie auger, on a montre que la composition et la morphologie des surfaces dependaient du processus de nettoyage, de l'orientation du substrat et du dopage. Les proprietes electriques de la diode sont determinees a partir de l'etude des courbes i(v) et c(v). Ces etudes ont montre que ces structures sont instables dans le temps et sous polarisation et que leur instabilite depend de la nature du metal depose (au, ag, in). Nous avons interprete ces resultats en correlation avec la physico-chimie de la couche d'oxyde superficiel. Le metal suivant sa nature, en diffusant, interagit soit avec l'oxyde, soit avec le substrat, en creant des centres recombinants en densite et en position energetique differente, origine d'un courant de recombinaison important. Le recuit ameliore les caracteristiques des diodes, ce qui confirme nos precedentes interpretations

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