Contribution des propriétés de surfaces réelles et de la nature du métal aux caractéristiques électriques des diodes Schottky, Au, Ag et In/n-GaP

Contribution of the properties of gap etched surfaces and of the metal nature to the electrical characteristics of schottky diodes: au, ag and in/n-gap

• Auteur / Autrice : Mohamed Boumédiene
• Direction : Louis Lassabatere
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Composants, signaux et systèmes
• Date : Soutenance en 1990
• Etablissement(s) : Montpellier 2

Mots clés

Mots clés contrôlés

Contacts métal-semiconducteur

Métaux -- interfaces

Surfaces (technologie) -- Analyse

Chimie des surfaces

Surfaces (physique)

Gallium -- Composés

Composés semiconducteurs

Mesures électriques

Diodes à semiconducteur

Résumé

Cette these met en evidence la contribution des proprietes des surfaces reelles de gap aux proprietes electriques des diodes. A partir des etudes au microscope electronique et par spectroscopie auger, on a montre que la composition et la morphologie des surfaces dependaient du processus de nettoyage, de l'orientation du substrat et du dopage. Les proprietes electriques de la diode sont determinees a partir de l'etude des courbes i(v) et c(v). Ces etudes ont montre que ces structures sont instables dans le temps et sous polarisation et que leur instabilite depend de la nature du metal depose (au, ag, in). Nous avons interprete ces resultats en correlation avec la physico-chimie de la couche d'oxyde superficiel. Le metal suivant sa nature, en diffusant, interagit soit avec l'oxyde, soit avec le substrat, en creant des centres recombinants en densite et en position energetique differente, origine d'un courant de recombinaison important. Le recuit ameliore les caracteristiques des diodes, ce qui confirme nos precedentes interpretations