Le semiconducteur II-VI ZnSe : épitaxie par MOCVD et étude de la compensation

par Olivier Briot

Thèse de doctorat en Milieux denses et matériaux

Sous la direction de ROGER AULOMBARD.

Soutenue en 1990

à Montpellier 2 .


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  • Résumé

    La croissance par epitaxie en phase vapeur a partir de la decomposition d'organometalliques (movpe) est appliquee au cas du seleniure de zinc (2. 67 ev a 300 k). L'influence des parametres de croissance est etudiee et un optimum est propose. Pour preciser les proprietes de transport du materiau et pour avoir interpreter correctement les resultats electriques, l'equation de boltzmann est resolue en y incluant tous les mecanismes plausibles de diffusion. La faisabilite de la realisation par movpe de doubles heterostructures gaas:znse/gaas est demontree

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  • Détails : [9], 123 p

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  • Cote : TS 90.MON-085
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