Etude par simulation de l'anti-éblouissement horizontal et vertical dans les dispositifs à transfert de charge à trame

par Djamila Naceur

Thèse de doctorat en Composants, signaux et systèmes

Sous la direction de Yves Moreau.

Soutenue en 1990

à Montpellier 2 .


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  • Résumé

    Le phenomene d'eblouissement en cas de surcharge optique est l'un des problemes majeurs rencontres dans les capteurs d'image de type dispositifs a transfert de charge (ccd). Cette etude presente deux systemes d'anti-eblouissement dans des dispositifs a trame et leur optimisation technologique, electrique et geometrique. La protection contre l'eblouissement est assuree par un drain sous forme d'une diode implantee au voisinage du puits de potentiel. Cette diode est disposee soit en surface entre deux rangees de cellules (anti-eblouissement horizontal), soit en profondeur sous l'implant d'isolation (anti-eblouissement vertical). Cette diode ne doit pas injecter de charges dans le puits, mais doit pouvoir drainer l'eventuel exces de charge. Ceci exige la presence d'une barriere de potentiel creee technologiquement et/ou electriquement. Un logiciel (incluant la simulation de fabrication et de comportement electrique) a ete developpe dans le cadre de ce travail afin d'optimiser le systeme anti eblouissement sans sortir du domaine de fonctionnement. Il permet d'etudier l'influence de parametres comme les largeurs de grilles, les dopages sur les potentiels, les champs electriques, la charge maximum stockable. . . Dans la structure. Ce logiciel concu au depart pour des geometries precises, dispose maintenant d'outils de description souple permettant une generalisation a des structures variees. . . Et de possibilites d'analyse etendue des parametres

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Informations

  • Détails : [6], 127 f
  • Annexes : Bibliogr.: f. 123-127

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  • Cote : TS 90.MON-083
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