Etude de transistors mos à canal implanté : caractéristiques courant-tension et bruit de fond : application aux amplificateurs de lecture de dispositifs à transfert de charges

par Amani Kouadio

Thèse de doctorat en Composants, signaux et systèmes

Sous la direction de Dominique Rigaud.

Soutenue en 1990

à Montpellier 2 .


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  • Résumé

    La realisation de capteurs optiques de haute resolution necessite des amplificateurs de lecture rapides et faible bruit. Les transistors mos a canal implante les constituants ont ete etudies et modelises tant au niveau de leurs caracteristiques i(v) qu'au niveau de leur bruit de fond. Un modele de l'amplificateur complet est egalement propose. Les resultats obtenus par simulation sont compares aux caracteristiques experimentales. L'accord satisfaisant permet de valider le modele propose

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Informations

  • Détails : [8], 148 f
  • Annexes : Notes bibliogr

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  • Bibliothèque : Bibliothèque interuniversitaire. Section Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TS 90.MON-26
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