Etude électronique et physicochimique des premiers stades de la formation des interfaces GaSb-métal : application à l'interface GaSb-Ag

par Aziz Mohamed Doukkali

Thèse de doctorat en Composants, signaux et systèmes

Sous la direction de Jacques Bonnet.

Soutenue en 1990

à Montpellier 2 .


  • Résumé

    Dans les conditions de l'ultravide, entre 100 k et 300 k, nous avons suivi les premiers stades de la formation de l'interface ag/gasb (110 clive) au moyen des techniques sea, speel et condensateur vibrant, pour des depots de 10##3 a 20 monocouches (suivis de recuits eventuels). Nos resultats qui confirment en particulier une croissance couche par couche a basse temperature et la presence d'ilots 3 d a l'ambiante, nous ont permis de calculer les caracteristiques electriques que devrait avoir une distribution d'etats qui les interprete. Nous presentons enfin dans le cas de depots inferieurs a la monocouche, un modele microscopique permettant une evaluation numerique du nombre d'etats.

  • Titre traduit

    Electronic and physico-chemical study of the first steps of the gasb-metal interface formation


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Informations

  • Détails : [2] f., 115, [46] p.
  • Annexes : Notes bibliogr. regroupées "in fine"

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  • Cote : MF-1990-DOU
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