Etude du mélange atomique dans des structures multicouches silicium-étain induit par irradiation ionique

par Georgios Christos Massouras

Thèse de doctorat en Sciences. Physique de la matière condensée. Composants électroniques et optiques

Sous la direction de Jean-Alain Roger.

Soutenue en 1990

à Lyon 1 .

Le jury était composé de Jean-Alain Roger.


  • Résumé

    Des faisceaux d'ions lourds energetiques ont ete utilises pour induire un melange atomique de films minces alternes de silicium et d'etain predeposes sur un substrat. Les techniques de caracterisation sont la spectroscopie de retrodiffusion de particules alpha, la microscopie electronique en transmission et a balayage, la spectroscopie mossbauer en electrons de conversion et les mesures electriques. Les principaux resultats sont: (i) l'irradiation ionique induit un melange des especes atomiques; (ii) la quantite d'atomes d'etain se trouvant en solution dans le reseau du silicium amorphe peut exceder jusqu'a deux ordres de grandeur la limite de solubilite de l'etain dans le silicium; (iii) dans tous les cas, une fraction des atomes d'etain se trouve sous forme de petits precipites de taille environ 6 nm; (iv) la matrice amorphe avec les precipites metalliques presente un comportement semiconducteur


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Informations

  • Détails : 1 vol. (71 p.)
  • Annexes : Bibliogr. p. 67-71

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