Etude des gardes périphériques des composants silicium planar haute-tension en technologie sipos

par Denis Jaume

Thèse de doctorat en Électronique

Sous la direction de Pierre Rossel.

Soutenue en 1990

à Toulouse, INSA .


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  • Résumé

    L'utilisation du sipos, pour la passivation des dispositifs planar haute tension est une technique de garde recente et prometteuse. Les caracteristiques du sipos sont rappelees et son principe d'utilisation, en tant que technique de garde, est decrit. La tenue en tension de composants silicium planar en technologie sipos est etudiee et les regles de conception, pour obtenir des tensions de claquage de 1000 v et 1500 v, sont etablies en fonction des parametres physiques et geometriques. Cette etude est menee a l'aide de simulations numeriques bidimensionnelles. Des dispositifs test sont realises dans une technologie planar sipos l. P. C. V. D a plusieurs couches et confirment la validite de l'approche numerique proposee

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  • Détails : [8]-150 f

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  • Bibliothèque : Moyens Informatiques et Multimédia. Information.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : B-JAU
  • Bibliothèque : Institut national des sciences appliquées. Bibliothèque centrale.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 1990/130/JAU
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