Etude du système émetteur-base d'un transistor bipolaire autoaligné dans le cadre d'une technologie VLSI BICMOS

par Gae͏̈lle Giroult-Matlakowski

Thèse de doctorat en Micro-électronique

Sous la direction de Augustin Martinez.

Soutenue en 1990

à Toulouse, INSA .


  • Résumé

    Ce travail s'inscrit dans le cadre de l'etude d'un composant bipolaire compatible avec la technologie cmos du centre national d'etude des telecommunications de meylan. Apres avoir rappele l'interet de pouvoir mixer des composants bipolaires et cmos sur une meme puce, et donne une vue generale des technologies bicmos developpees dans les principales fonderies du monde, nous decrivons la structure de notre dispositif bipolaire autoaligne a emetteur grave, derivee de celle du transistor pmos, et son procede de fabrication. Dans un premier temps, l'etude porte sur l'origine du dysfonctionnement a faible injection des transistors realises en technologie polysilicium siliciure tungstene. La comprehension des mecanismes physiques responsables des courants de fuite de la jonction emetteur-base conduira a l'optimisation du procede de fabrication des transistors en technologie polysilicium, puis a terme avec siliciuration titane autoalignee. Les mecanismes physiques controlant les performances du transistor bipolaire aux petites dimensions sont alors discutes: les roles de la surgravure de l'emetteur, de la phase de reoxydation de celui-ci avant la formation des espaceurs, et le role de l'implantation de base extrinseque faiblement dopee sont analyses de facon complete et nous donnons les conditions d'optimisation des caracteristiques de fonctionnement du transistor. Le role de l'interface polysilicium/silicium est experimentalement mis en evidence et decrit theoriquement. Nous en deduisons la valeur de la vitesse de recombinaison effective, reliee a la nature physique de cette interface

  • Titre traduit

    Study of the emitter-base system of a self-aligned bipolar transistor for a vlsi bicmos technology


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Informations

  • Détails : [6]-165 f

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  • Bibliothèque : Institut national des sciences appliquées. Bibliothèque centrale.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 1990/138/GIR
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