Magnétotransport dans les dispositifs à effets quantiques à base de GaAs et GaInAs

par Jérôme Rascol

Thèse de doctorat en Physique et structure des solides

Sous la direction de Jean-Claude Portal.

Soutenue en 1990

à Toulouse, INSA .


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  • Résumé

    Nous presentons des etudes de magnetotransport dans des dispositifs a multiples puits quantiques a base des systemes gaas/algaas et ingaas/inalas. Dans ce type d'heterostructure tres complexe, les effets quantiques affectent la structure de bande et la densite d'etats, et l'effet tunnel resonnant controle le transport. Une etude magneto-spectrale nous permet d'identifier les principaux phenomenes de collisions responsables de la deterioration des caracteristiques statiques de tels dispositifs. Nous caracterisons les differentes regions ou des accumulations de charges conduisent a une importante non-uniformite du champ electrique. Grace a des simples modeles semi-classiques, et en utilisant le champ magnetique comme un troisieme contact, nous verifions la rigidite des regles de selection de l'effet tunnel, et caracterisons le transport loin des conditions d'equilibre d'une distribution electronique balistique. Nous etudions l'effet de la region separant deux diodes a effet tunnel resonnant integrees verticalement, sur les composantes balistiques et thermalisees de la distribution electronique. Le controle de la composante balistique a permis la caracterisation de differents mecanismes d'effet tunnel en fonction du couplage entre ces deux structures. Nous discutons la validite de calculs auto-consistants pour prevoir le profil de potentiel dans ce type de structure

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Informations

  • Détails : [3]-145 p

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  • Bibliothèque : Institut national des sciences appliquées. Bibliothèque centrale.
  • Accessible pour le PEB
  • Cote : 1990/128/RAS
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